H1胚胎干細胞培養(yǎng)攻略

一、復蘇要點

1、hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基配制

表 1：hESC/iPSC 細胞培養(yǎng)基試劑盒

表 2：hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基配置說明

1）4°C下解凍A過夜，勿在37℃培養(yǎng)箱/水浴鍋解凍。A凍融總次數(shù)不能超過2次，按5mL每管分裝。

2）4°C下解凍C過夜，勿在37℃培養(yǎng)箱/水浴鍋解凍。C凍融總次數(shù)不能超過2次，按100ul每管分裝。Y27632只在復蘇、傳代的第yi天使用，凍存使用。

3）參考表1，使用無菌移液管混勻下列成分配制成hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基，4°C儲存，2周內用完。完quan培養(yǎng)基可分裝-20 °C 下儲存長達 6 個月。

4）使用前，完quan培養(yǎng)基在室溫下預熱至不再感覺冰涼。

2、基質膠鋪板（以包被6孔板為例）

基質膠(IPS驗證無酚紅 abs9496 1.5mL×4 10mg/ml Store at -80℃ for 2年)

1）將基質膠于4°C冰箱里的冰浴中過夜解凍。200ul、1mL槍頭提前-20℃過夜預冷。

2）用4°C預冷的DMEM/F12將基質膠原液以1:100的比例進行稀釋。例如：將1.5mL基質膠加入已含有150mLDMEM/F12的離心管中，包被量為300uL/cm2，6孔板每孔10cm2，每孔3mL，均勻鋪開并完quan覆蓋培養(yǎng)板。剩余包被液4℃兩周內用完。

3）將細胞培養(yǎng)板放置于培養(yǎng)箱預熱。

4）將含有包被液的培養(yǎng)板在室溫靜置一小時。注意一定不要讓包被過的培養(yǎng)板表面變干。

5）吸掉包被液，并在培養(yǎng)板上立即種上干細胞與培養(yǎng)基混合液。

3、復蘇 hESC/iPSC（以 6 孔板為例）

1）將水浴鍋預熱至37℃；并將Matrigel包被的6孔板，提前放置生物安全柜中約1小時恢復至室溫（15~30℃）。

2）取3 mL hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基，加入6μL Supplement C終濃度為10uM，取9 mL含有Supplement C DMEM/F12，加入18 μL Supplement C使終濃度為10uM，恢復至室溫（15~30℃）。注意：不要在37℃水浴鍋中預溫培養(yǎng)基。

3）取出1支冷凍的細胞置于37℃水浴鍋手持輕輕搖晃，2 min內解凍，肉眼觀察細胞懸液內冰晶即將完quan消失時取出（冰晶剩綠豆大小時）。

4）75%酒精無塵紙擦拭凍存管表面，轉入生物安全柜；將細胞懸液移到事先準備好的15 mL 離心管中，隨后緩慢逐滴加入10mL 含Y27的DMEM/F12，過程中輕柔晃動混勻細胞，160g離心5 min。

5）吸棄六孔板內的鋪板液，將2mL 含有 hESC/iPSC Supplement C 的 hESC/iPSC 完quan培養(yǎng)基靠壁緩慢加入六孔板孔中。

6）離心完吸棄上清，至留下 50uL 左右的上清，輕彈管底 3-4 下至細胞混勻在上清中，逐滴緩慢加入 1mL 含有 Supplement C 的 hESC/iPSC 完quan培養(yǎng)基，輕彈管底 3-4 下 混勻細胞，將這 1mL 細胞懸空滴加進 6 孔板的含有 Supplement C 的 hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基中。

7）水平十字搖勻三次，置于37℃，5% CO?濃度，飽和濕度的培養(yǎng)箱中，再次水平十字搖勻三次培養(yǎng)。注：水平十字搖勻3次，左右兩次+上下兩次算一次

8）18-24小時后換新的hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基，之后每天更換培養(yǎng)基（6孔板，2mL/孔）。注：在hiPSC培養(yǎng)過程中，如果細胞的匯合度超過50%，建議更換培養(yǎng)基時，培養(yǎng)基的體積增加至3-4mL/孔。

二、傳代要點

1、條件和比例

圖1. hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基連續(xù)培養(yǎng)hiPSC細胞形態(tài)圖：

（A）和（B）分別為hiPSC細胞培養(yǎng)第2和4天時低倍鏡hiPSC培養(yǎng)形態(tài)圖示，（C）和（D）為培養(yǎng)至第2和4天時的高倍鏡hiPSC培養(yǎng)形態(tài)圖。

（1）傳代條件：

細胞匯合度達85%左右（如圖1(C-D)所示），一般情況下每3-4天傳代；

細胞匯合度較高，集落變得過于密集或過大；

細胞集落分化增多。

注：即使克隆團較小、匯合度不足，也建議不要連續(xù)培養(yǎng)超過5天。

（2）傳代比例：

可根據(jù)細胞生長狀態(tài)和實驗需要按1:5~1:12的比例進行傳代。

如果細胞正常，克隆團匯合度85%，大小均勻（如圖1(B-D)所示），建議按照1:10進行傳代；

如果密度偏低，則可降低傳代比例；

密度偏高，則增加傳代比例。

注：1:10傳代就是1個孔傳10個孔（以6孔板為例）。

2、消化

圖2：消化hiPSC細胞不同時間形態(tài)圖：（A）消化5min高倍鏡hiPSC培養(yǎng)的的形態(tài)圖;（B）消化6min高倍鏡hiPSC培養(yǎng)的形態(tài)圖。

1）將 Matrigel 包被的6孔板，hESC/iPSC Passage Solution，DPBS提前放置生物安全柜中約1小時恢復至室溫（~25℃）。

2）根據(jù)傳代接種的孔數(shù)準備2 mL/孔+1mL的hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基，加入hESC/iPSC Supplement C終濃度為10uM，恢復至室溫（~25℃）。

3）將孔內培養(yǎng)基吸棄，加入1 mL/孔的DPBS（不含鈣鎂），輕輕搖晃并吸棄。

4）加入1 mL/孔的 hESC/iPSC Passage Solution使溶液完quan覆蓋孔底。

5）置于37℃培養(yǎng)箱中孵育5-6 min。

注：

① 消化5-6 min后鏡下觀察細胞變化，當大部分細胞變亮變圓，且細胞尚未脫離基質或漂起時即可終止消化，若大部分細胞仍未變亮，則需要延長消化時間；hiPSC細胞不能長時間處于hESC/iPSC Passage Solution（＜10min）。

② 保持6孔板與培養(yǎng)箱金屬隔板直接接觸，使6孔板受熱均勻，不要疊放。

6）消化結束后輕輕地將細胞培養(yǎng)板拿回生物安全柜，避免震蕩搖晃細胞，傾斜并吸除hESC/iPSC Passage Solution。
及時吸取2 mL/孔預溫的hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基+ Supplement C，快速輕柔吹打，利用槍頭中的培養(yǎng)基吹打一次后，吸懸液再吹打一次，使細胞脫離基質。

注：

① 加hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基 + Supplement C時，可輕柔吹打細胞1-2次，不能超過2次，避免反復吹打；有部分細胞（10%～15%）未脫離基質是正?，F(xiàn)象，若有大量細胞未脫離則需延長消化時間（< 10min）。

② hiPSC細胞不能長時間處于hESC/iPSC Passage Solution（<15 min），所以收集接種細胞時操作必須快速，以及一次操作不要超過4孔（六孔板）。

7）吸棄6孔板中的Matrigel溶液，加入預溫的hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基+ Supplement C 2 mL/孔。

8）在6孔板上標記細胞名稱、代次、傳代比例、日期、操作人。將步驟9獲得的細胞懸液輕輕搖勻，按預先設定的傳代比例均勻分配于孔板中。

9）接種后，水平十字搖勻6孔板三次，置于37℃，5% CO?濃度，飽和濕度的培養(yǎng)箱中，再次水平十字搖勻6孔板三次，培養(yǎng)過夜。

10）18-24小時后更換新hESC/iPSC完quan培養(yǎng)基，此后每天換液，4-5天后繼續(xù)傳代/凍存。

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